NJVMJD45H11T4G-VF01 دیتاشیت

NJVMJD45H11T4G-VF01

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NJVMJD45H11T4G-VF01
حجم فایل 90.77 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت NJVMJD45H11T4G-VF01

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJD44H11T5G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 8A
  • Power Dissipation (Pd): 20W
  • Transition Frequency (fT): 85MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 40@4A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@8A,800mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه